專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車(chē)輔助電源，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。

基本半導(dǎo)體再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會(huì)——PCIM Europe 2023，在德國(guó)紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類(lèi)型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車(chē)、直流快充、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國(guó)產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A

NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展，NPC三電平技術(shù)開(kāi)始越來(lái)越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑Ｓ玫挠袃煞N結(jié)構(gòu)，就是我們常說(shuō)的“I”字型（也稱(chēng)NPC1）和“T”字型（也稱(chēng)NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型，這些年隨著器件的發(fā)展，ANPC也開(kāi)始有一些適合的應(yīng)用。

在分時(shí)電價(jià)完善、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)下，工商業(yè)儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升。工商業(yè)儲(chǔ)能是用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的主要類(lèi)型之一，可以大化提升光伏自發(fā)自用率，降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開(kāi)支，助力企業(yè)節(jié)能減排。
工商業(yè)儲(chǔ)能裝機(jī)有望在政策鼓勵(lì)、限電刺激、電價(jià)改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長(zhǎng)期，復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。